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J-GLOBAL ID：200903088723922143

半導体装置の製造方法

Inventor： 川本 英明
Applicant, Patent owner： 日本電気株式会社
Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996137225
Publication number (International publication number)：1997321026
Application date： May. 30, 1996
Publication date： Dec. 12, 1997
Summary：

【要約】【課題】アルミニウム合金膜と窒化チタン膜を含む積層膜を絶縁膜をマスクとしてパターニングして配線層を形成するときにサイドエッチとエッチング残渣を抑制すること。【解決手段】Cl2 ガスにBCl3 ガスを混合したガスを用いてプラズマエッチングを行なうことによりTiN膜を均一にエッチングしてエッチング残渣をなくし、更にN2 ガスを混合することによりサイドエッチを防ぐ。

Claim (excerpt)：

半導体基板上の第1の絶縁膜にアルミニウム合金膜及び窒化チタン膜を含む積層膜を被着した後、第2の絶縁膜を形成しパターニングする工程と、前記パターニングされた第2の絶縁膜をマスクとしてプラズマエッチングにより前記積層膜をパターニングして配線層を形成する半導体装置の製造方法において、エッチングガスとしてBCl3 ガスとCl2 ガスの混合ガスにN2 ガスを添加してサイドエッチを抑制し、かつBCl3 ガスのBCl3 ガスとCl2 ガスの和に対する混合比を少なくとも15%とすることを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (2)：

H01L 21/3065 ,  H01L 21/3213

FI (2)：

H01L 21/302 F ,  H01L 21/88 D

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 微細金属配線形成方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-314487   Applicant：日本電気株式会社