プラズマ処理方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小原肇
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993338764
Publication number (International publication number)：1995161695
Application date： Dec. 02, 1993
Publication date： Jun. 23, 1995
Summary：

【要約】高周波誘導結合方式としては比較的高いガス圧でもイオンに富み、ラジカルを抑制した高密度プラズマを安定的に得ることができ、しかもエッチング速度及び選択比を高めるプラズマ処理方法を提供する。【目的】【構成】本プラズマ処理方法は、処理室1頂面の外面に石英ガラス等からなる絶縁材19を介して配設された渦状の高周波アンテナ20に13.56MHzの高周波電力を印加し、処理室1内でCHF3ガスの誘導プラズマを発生させ、処理室1内に配置された半導体ウエハWにエッチングを施す際に、半導体ウエハWを10〜100mTorrのガス圧で処理することを特徴とする。

Claim (excerpt)：

処理室外部に絶縁材を介して配設された高周波電極に高周波電力を印加し、上記処理室内で処理ガスに誘導性結合プラズマを発生させ、上記処理室内に配置された被処理体に所定のプラズマ処理を施すプラズマ処理方法において、上記被処理体を10〜100mTorrのガス圧で処理することを特徴とするプラズマ処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/3065 , C23C 16/50 , C23F 4/00 , H05H 1/46

FI (2)：

H01L 21/302 C , H01L 21/302 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

誘導RF結合を用いたプラズマ加工装置とその方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-169619 Applicant：アプライドマテリアルズインコーポレイテッド
ドライエツチング方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-211381 Applicant：ソニー株式会社
特開昭63-260035

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