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J-GLOBAL ID：200903071786416507

半導体加速度センサ

Inventor： 青 建一 ,  上野山 博文 ,  彼末 将和 ,  山田 利貴
Applicant, Patent owner： 日本電装株式会社
Agent (1)： 恩田 博宣
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994097708
Publication number (International publication number)：1995306221
Application date： May. 11, 1994
Publication date： Nov. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 固定電極の反りを防止するとともに、加速度検出方向でない半導体基板の表面に垂直な方向に加速度が作用しても容量変化が生じない半導体加速度センサを提供することにある。【構成】 シリコン基板1上の絶縁膜2の上方に所定の間隔を隔てて可動部が配置され、可動部は帯状の可動電極16を有している。絶縁膜2上には所定の長さを有する固定電極25が固定され、可動電極16と対向している。この固定電極25は、その長さ方向に連続的に絶縁膜2に固定されるとともに、固定電極25における可動電極16との対向面を、シリコン基板1の表面に垂直な加速度を受けたときの可動電極16の変位範囲より大きく形成している。シリコン基板1の表面に平行な方向に加速度を受けると、可動電極16と固定電極25との間の距離が変化し、同電極間の静電容量の変化により加速度が検出される。

Claim (excerpt)：

半導体基板と、前記半導体基板の上方に所定の間隔を隔てて配置された可動電極と、前記半導体基板上に固定され、前記可動電極と対向して配置された所定の長さを有する固定電極とを備え、加速度検出方向である前記半導体基板の表面に平行な方向に加速度を受けると、前記可動電極と前記固定電極との間の距離の変化に伴う同電極間の静電容量の変化により加速度を検出するようにした半導体加速度センサにおいて、前記固定電極をその長さ方向に連続的に前記半導体基板に固定するとともに、前記固定電極における可動電極との対向面を、前記半導体基板の表面に垂直な方向に加速度を受けたときの可動電極の変位範囲より大きく形成したことを特徴とする半導体加速度センサ。

IPC (2)：

G01P 15/125 ,  H01L 29/84

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 特開平4-115165
  
• 慣性センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-049519   Applicant：株式会社東芝
• 特開昭62-123361
  
• 特表平4-504003