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J-GLOBAL ID：200903071882096777

トンネルジャンクション素子

Inventor： 十倉 好紀 ,  川崎 雅司 ,  山田 浩之 ,  小川 佳宏 ,  金子 良夫
Applicant, Patent owner： 独立行政法人産業技術総合研究所 ,  独立行政法人科学技術振興機構
Agent (1)： 清水 守
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2003302614
Publication number (International publication number)：2005072436
Application date： Aug. 27, 2003
Publication date： Mar. 17, 2005
Summary：

【課題】 室温下においても、MR比を向上させることができるトンネルジャンクション素子を提供する。 【解決手段】 強磁性金属材料La0.6Sr0.4MnO312の上に非磁性膜(トンネル膜)として2単位層積層したLaMnO313Aと5単位層のSrTiO313Bとその膜と強磁性金属膜材料La0.6Sr0.4MnO314との界面に2単位層のLaMnO313Cを挿入したLaMnO3/SrTiO3/LaMnO3の3層構造のトンネル膜を構成した。【選択図】 図2

Claim (excerpt)：

A1-xBxMO3-δ型酸化物(0≦X≦1、δは酸素欠損量)で、AとしてCa,Sr,Baなどのアルカリ土類元素もしくはLaなどの希土類元素、YやBiからなる元素、BとしてA以外のCa,Sr,Baなどのアルカリ土類元素もしくはLaなどの希土類元素、YやBiからなる酸化物、MとしてMn,Fe,Co,Ni,Cuなどの遷移金属を用いた強磁性導電性電極とこれに挟まれた電気的絶縁層からなる、中心を構成する膜とその上下に電荷を供給できるような膜とからなる3層構造を有するトンネル膜をもつトンネルジャンクション素子。

IPC (4)：

H01L43/08 ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10

FI (5)：

H01L43/08 Z ,  H01L43/08 M ,  H01F10/30 ,  H01F10/32 ,  H01L43/10

F-Term (3)：

5E049AB07 ,  5E049BA12 ,  5E049DB14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (4)

• トンネル磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-279289   Applicant：独立行政法人産業技術総合研究所, 科学技術振興事業団
• 磁気抵抗素子、磁気メモリ及び磁気センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-133533   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-075344   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-273289   Applicant：株式会社日立製作所, 名古屋大学長

Cited by examiner (3)

• 磁気抵抗素子、磁気メモリ及び磁気センサー
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-133533   Applicant：キヤノン株式会社
• 磁気抵抗素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-075344   Applicant：株式会社東芝
• 磁気抵抗比のバイアス依存性の小さい強磁性トンネル型磁気抵抗効果ヘッド
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2000-273289   Applicant：株式会社日立製作所, 名古屋大学長