磁気抵抗素子

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：外川英明
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998075344
Publication number (International publication number)：1999274597
Application date： Mar. 24, 1998
Publication date： Oct. 08, 1999
Summary：

【要約】【課題】室温、低磁場でもメモリー素子に使えるような大きな磁気抵抗比を得られる磁気抵抗効果を持つ素子を提供する。【解決手段】強磁性体となるSr組成の大きいLa1-x Srx MnO3(x>0.17) と、常磁性絶縁体となるSr組成の小さいLa1-x Srx MnO3 (x<0.17)をトンネル絶縁膜に使う。構成元素が同じであるLa1-x Srx MnO3 を絶縁膜に用いることで、界面のスピン散乱を抑制できる上、成膜によって膜厚を制御できるのでFe/Al2O3 系の場合と違って素子特性の均一性にも優れている。また、強磁性La1-x Srx MnO3 とFe,CO,Ni などの強磁性金属、合金とで絶縁膜を挟む構造にすると、メモリーとして利用しやすくできる。

Claim (excerpt)：

単結晶または多結晶からなり、使用温度で強磁性を示すLa1-x Srx MnO3導電膜からなる第1の電極と、この第1の電極上に形成され、使用温度で常磁性を示すLa1-y Sry MnO3絶縁膜と、このLa1-y Sry MnO3 膜絶縁膜上に形成された強磁性体からなる第2の電極とを具備し、前記第1の電極と前記第2の電極間に電位差がある場合、電子が前記La1-y Sry MnO3 絶縁膜をトンネルすることを特徴とする磁気抵抗素子。

IPC (8)：

H01L 43/08 , G01R 33/09 , G11B 5/39 , G11C 11/16 , H01B 1/08 , H01B 3/00 , H01B 3/12 319 , H01B 3/12 322

FI (8)：

H01L 43/08 Z , G11B 5/39 , G11C 11/16 , H01B 1/08 , H01B 3/00 F , H01B 3/12 319 , H01B 3/12 322 , G01R 33/06 R

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

ペロブスカイト・マンガネート材料にもとづく新規な磁気抵抗素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-053689 Applicant：インターナショナル・ビジネス・マシーンズ・コーポレイション
磁気抵抗デバイス
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平8-120249 Applicant：三洋電機株式会社
特開平4-123341

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