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J-GLOBAL ID:200903071888426507
スズドープ酸化インジウム微粒子の製造方法
Inventor:
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,
Applicant, Patent owner:
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2004188085
Publication number (International publication number):2005035882
Application date: Jun. 25, 2004
Publication date: Feb. 10, 2005
Summary:
【課題】結晶性が高く、小粒径のスズドープ酸化インジウム微粒子の製造方法を提供する。【解決手段】酸化物基準のモル%表示で、In2O3を10〜50%、SnO2を0.5〜10%、B2O3を25〜55%、R2O(R=Li、Na、K)及びR’O(R’=Mg、Ca、Ba、Sr)からなる群より選ばれる1種以上を15〜50%含む溶融物を得る工程と、前記溶融物を急速冷却して非晶質物質とする工程と、前記非晶質物質からスズドープ酸化インジウム結晶を析出させる工程と、得られた結晶化物から前記スズドープ酸化インジウム結晶を分離する工程と、をこの順に含むことを特徴とするスズドープ酸化インジウム微粒子の製造方法。【選択図】図1
Claim (excerpt):
酸化物基準のモル%表示で、In2O3を10〜50%、SnO2を0.5〜10%、B2O3を25〜55%、R2O(R=Li、Na、K)及びR’O(R’=Mg、Ca、Ba、Sr)からなる群より選ばれる1種以上を15〜50%含む溶融物を得る工程と、前記溶融物を急速冷却して非晶質物質とする工程と、前記非晶質物質からスズドープ酸化インジウム結晶を析出させる工程と、得られた結晶化物から前記スズドープ酸化インジウム結晶を分離する工程と、をこの順に含むことを特徴とするスズドープ酸化インジウム微粒子の製造方法。
IPC (1):
FI (1):
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
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インジウム-錫-酸化物、その製造方法および使用
Gazette classification:公開公報
Application number:特願2002-177650
Applicant:デグサアクチエンゲゼルシャフト
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導電性微粉末の製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-042000
Applicant:富士チタン工業株式会社
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