Pat
J-GLOBAL ID：200903071902888969

熱処理方法

Inventor：
大加瀬 亘

About 大加瀬 亘


Applicant, Patent owner：
東京エレクトロン株式会社

About 東京エレクトロン株式会社

, 
東京エレクトロン東北株式会社

About 東京エレクトロン東北株式会社


Agent (1)： 井上 俊夫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995051970
Publication number (International publication number)：1996222523
Application date： Feb. 16, 1995
Publication date： Aug. 30, 1996
Summary：
【要約】【目的】 被処理基板を例えば1枚づつ保持具に載せて、移載室からその上方の反応容器まで移動させ処理を行う熱処理装置において、被処理基板の昇降に伴う反応容器内の圧力変動を防止すること。【構成】 ウエハ保持具6を昇降させる際、反応管2及び移載室41を例えば数〜数十Torrまで減圧すると、ウエハWが受ける風圧が減少して圧力変動を抑えることができる。またウエハ保持具6を昇降させる際、処理ガスをウエハ保持具6の移動方向と同方向に、ウエハ保持具6の移動速度よりも早い速度で通流させると、ウエハWと処理ガスとが対向しないため、ウエハWが受ける抵抗が減少して圧力変動を抑えることができる。
Claim (excerpt)：
加熱炉に囲まれた反応容器と、この反応容器の下方側に設けられ、被処理基板の移載を行うための移載室と、前記反応容器と移載室との間で昇降し、被処理基板を保持するための被処理基板保持部とを有し、前記反応容器内にて被処理基板保持部に保持された被処理基板を処理ガスを供給しながら熱処理する装置において、前記反応容器内を減圧しながら、前記被処理基板保持部を昇降させることを特徴とする熱処理方法。
IPC (5)：
H01L 21/22 511 ,  H01L 21/22 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/324
FI (5)：
H01L 21/22 511 B ,  H01L 21/22 511 S ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/324 D
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (6)
  • 特開昭62-122123
  • 縦型CVD・拡散装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-207429   Applicant：国際電気株式会社
  • 特開平4-048725
Show all
Cited by examiner (4)
  • 特開昭62-122123
  • 縦型CVD・拡散装置
    Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-207429   Applicant：国際電気株式会社
  • 特開平4-048725
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM