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J-GLOBAL ID：200903071907880397

薄膜光電変換素子

Inventor： 加藤 進二
Applicant, Patent owner： 富士電機株式会社
Agent (1)： 山口 巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994309374
Publication number (International publication number)：1996167726
Application date： Dec. 14, 1994
Publication date： Jun. 25, 1996
Summary：

【要約】【目的】光電変換半導体層の透明電極層から入射する光の透明電極層表面での反射率を低下させて薄膜光電変換素子の変換効率を高める。【構成】透明電極層と透明封止材との間に屈折率が透明電極層の屈折率と封止材の屈折率との間で連続的に変化するような酸化物あるいは窒化物の層を挿入する。SiOx あるいはSiNx のような酸化物あるいは窒化物は、xの値の変化により屈折率が変わるので、成膜時のガス中の酸素あるいは窒素の濃度を変えることにより上記のような層ができる。

Claim (excerpt)：

可撓性基板上に反射電極層、光電変換半導体層および透明電極層を積層し、少なくとも透明電極層への光入射側は透明である封止材によって封止されるものにおいて、透明電極層と封止材との間に酸化物あるいは窒化物よりなり、酸素あるいは窒素の組成比が膜厚方向に連続的に変化させられ、透明電極層および封止材と近接する部分ではそれぞれ透明電極層および封止材の屈折率に近い屈折率をもつ透光性絶縁膜が介在することを特徴とする薄膜光電変換素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 光起電力素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-194024   Applicant：三洋電機株式会社
• 可撓性薄膜光電変換素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-108617   Applicant：富士電機株式会社
• 特開昭62-104081
  
• 特開昭63-071801