Pat

J-GLOBAL ID：200903071914828287

半導体装置

Inventor： 小川 敏夫 ,  高橋 正昭 ,  合田 正広 ,  神村 典孝 ,  山田 一二 ,  鈴木 和弘 ,  遠藤 常博 ,  茂村 達也 ,  中津 欣也
Applicant, Patent owner： 株式会社日立製作所
Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996240132
Publication number (International publication number)：1998093015
Application date： Sep. 11, 1996
Publication date： Apr. 10, 1998
Summary：

【要約】【課題】本発明の課題は半導体装置の高信頼性を確保し、かつ装置の熱抵抗を低減することであり、結果的に小型かつ高信頼性のパワー半導体装置を低価格で提供することである。【解決手段】本発明は、リードフレーム上に形成した半導体素子を含む回路部と、熱放散のためのヒートシンクとを熱拡散板を含む特定構造で電気的に絶縁し、樹脂系モールドで一体的に構成して補強することにより、上記目的を達成する。【効果】本発明によれば、小型,高信頼性の半導体装置を低価格で提供するという効果がある。

Claim (excerpt)：

導体回路上に発熱性半導体素子が固着され、電気絶縁性外装モールドによって保護された構造を有する半導体装置において、該半導体素子がリードフレーム上に固着され、該リードフレーム下には電気絶縁層を挟持してヒートシンクが配置され、かつ該ヒートシンク裏面の少なくとも一部が外部に露出した形で、これら一連の部材が外装モールドによって一体的に構成され、該モールドが実質的に単一の樹脂層からなり、該リードフレームの一部が外部回路と接続するためのリード端子として該樹脂モールドの表面に露出もしくは突出した構造を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2)：

H01L 25/07 ,  H01L 25/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• 半導体装置およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-020907   Applicant：三菱電機株式会社