Pat
J-GLOBAL ID：200903071922596310

半導体発光素子の製法

Inventor：
園部 雅之

About 園部 雅之


Applicant, Patent owner：
ローム株式会社

About ローム株式会社


Agent (1)： 河村 洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057689
Publication number (International publication number)：1996255929
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：
【要約】【目的】 ドライエッチングによるダメージやコンタミネーションの付着を防止し、電気特性および発光効率の向上した半導体発光素子の製法を提供する。【構成】 (a)基板1上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる一方の導電型層を成膜し、(b)該一方の導電型層の一部をマスク10で覆い、(c)該マスクで覆われない前記一方の導電型層上に少なくとも他の導電型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層3、4、5、6をエピタキシャル成長し、(d)前記マスクを除去し、該マスクの除去により露出した前記一方の導電型層および前記他の導電型層にそれぞれn側およびp側の電極9、8を設けることにより発光素子のチップを形成する。
Claim (excerpt)：
(a)基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる一方の導電型層を成膜し、(b)該一方の導電型層の一部をマスクで覆い、(c)該マスクで覆われない前記一方の導電型層上に少なくとも他の導電型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層をエピタキシャル成長し、(d)前記マスクを除去し、該マスクの除去により露出した前記一方の導電型層および前記他の導電型層にそれぞれn側およびp側の電極を設けることにより発光素子のチップを形成する半導体発光素子の製法。
IPC (2)：
H01L 33/00 ,  H01S 3/18
FI (2)：
H01L 33/00 C ,  H01S 3/18
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (4)
Show all
Cited by examiner (4)
Show all

Return to Previous Page

TOP

BOTTOM