半導体発光素子の製法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：河村洌 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995057689
Publication number (International publication number)：1996255929
Application date： Mar. 16, 1995
Publication date： Oct. 01, 1996
Summary：

【要約】【目的】ドライエッチングによるダメージやコンタミネーションの付着を防止し、電気特性および発光効率の向上した半導体発光素子の製法を提供する。【構成】 (a)基板1上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる一方の導電型層を成膜し、(b)該一方の導電型層の一部をマスク10で覆い、(c)該マスクで覆われない前記一方の導電型層上に少なくとも他の導電型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層3、4、5、6をエピタキシャル成長し、(d)前記マスクを除去し、該マスクの除去により露出した前記一方の導電型層および前記他の導電型層にそれぞれn側およびp側の電極9、8を設けることにより発光素子のチップを形成する。

Claim (excerpt)：

(a)基板上にチッ化ガリウム系化合物半導体からなる一方の導電型層を成膜し、(b)該一方の導電型層の一部をマスクで覆い、(c)該マスクで覆われない前記一方の導電型層上に少なくとも他の導電型層を含むチッ化ガリウム系化合物半導体層をエピタキシャル成長し、(d)前記マスクを除去し、該マスクの除去により露出した前記一方の導電型層および前記他の導電型層にそれぞれn側およびp側の電極を設けることにより発光素子のチップを形成する半導体発光素子の製法。

IPC (2)：

H01L 33/00 , H01S 3/18

FI (2)：

H01L 33/00 C , H01S 3/18

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

特開平4-242985
窒化ガリウム系化合物半導体の成長方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-034133 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子及びその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-219179 Applicant：日本電信電話株式会社

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