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J-GLOBAL ID：200903072077858268

表面抵抗の測定方法

Inventor：
中山 明

About 中山 明


Applicant, Patent owner：
京セラ株式会社

About 京セラ株式会社


Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997168635
Publication number (International publication number)：1999014558
Application date： Jun. 25, 1997
Publication date： Jan. 22, 1999
Summary：
【要約】【課題】高周波領域において、簡易、高精度に測定することができる導体の表面抵抗の測定方法を提供する。【解決手段】所定間隔Hをもって配設された一対の導体1a、1b間に、高さHの誘電体材料からなる第1の誘電体5aを配設して第1の標準共振器R1 を形成し、第1の標準共振器R1 により生成された共振波形から共振周波数f1 および無負荷Q、Q1 を測定する工程と、所定間隔Hをもって配線された一対の導体間に、高さがHよりも小さく第1の誘電体5aと同一材料からなる第2の誘電体5bを配設して第2の標準共振器R2 を形成し、第2標準共振器R2 により生成された共振波形から共振周波数f2 および無負荷Q、Q2 を測定する工程と、第1および第2の標準共振器R1 、R2 により測定された共振周波数f1 、f2 および無負荷Q、Q1 、Q2 に基づき、導体1a、1bのの表面抵抗を算出する。
Claim (excerpt)：
所定間隔Hをもって配設された一対の導体間に、高さHの誘電体材料からなる第1の誘電体を配設して第1の標準共振器を形成し、該第1の標準共振器により生成された共振波形から共振周波数f1 および無負荷Q、Q1 を測定する工程と、所定間隔Hをもって配線された一対の導体間に、高さがHよりも小さい前記第1の誘電体と同一材料からなる第2の誘電体を配設して第2の標準共振器を形成し、該第2の標準共振器により生成された共振波形から共振周波数f2 および無負荷Q、Q2 を測定する工程と、前記第1および第2の標準共振器により測定された共振周波数f1 、f2 および無負荷Q、Q1 、Q2 に基づき、前記導体の表面抵抗を算出することを特徴とする表面抵抗の測定方法。
IPC (3)：
G01N 22/00 ,  G01R 27/02 ,  G01R 27/26
FI (4)：
G01N 22/00 Y ,  G01N 22/00 G ,  G01R 27/02 R ,  G01R 27/26 Q
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (5)
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Cited by examiner (5)
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