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J-GLOBAL ID：200903072079094877

半導体薄膜の製造方法

Inventor：
奥村 展

About 奥村 展


Applicant, Patent owner：
日本電気株式会社

About 日本電気株式会社


Agent (1)： 京本 直樹 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999207128
Publication number (International publication number)：2001035806
Application date： Jul. 22, 1999
Publication date： Feb. 09, 2001
Summary：
【要約】【課題】従来、液晶表示装置に搭載されるTFTの半導体薄膜を大粒径化する技術においては、スループットが低下し、サブミクロンのステージ動作精度を確保するため搬送系が複雑化するという問題があるため、大面積に渡って均質に大粒径化を果たすことは困難であった。【解決手段】a-Si膜に、nを1以上の整数、n発目のパルスのエネルギー密度をEn、パルス幅をWn、n発目と(n+1)発目のパルス間隔をtnとするとき、Eu>En≧En+1、tn≦6Wn、E1+E2+・・+En+En+1>Euの条件を満たす複数のパルスレーザを照射することにより、長軸方向が短軸方向の2倍を超える粗大結晶粒が得られ、基板の広い範囲に渡って大きなスキャンピッチでスキャン照射することが可能となり、高いスループットが得られ、ステージ動作精度の緩和も可能となる。
Claim (excerpt)：
非単結晶半導体薄膜に複数のパルスレーザを連続して同一箇所に照射することにより多結晶又は単結晶半導体薄膜を製造する方法であって、各パルスのエネルギー密度が、前記非単結晶半導体薄膜のパルスレーザの照射により微結晶化するエネルギー密度しきい値を超えないことを特徴とする半導体薄膜の製造方法。
IPC (5)：
H01L 21/268 ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (4)：
H01L 21/268 F ,  H01L 21/20 ,  H01L 27/12 R ,  H01L 29/78 627 G
F-Term (16)：
5F052AA02 ,  5F052BA18 ,  5F052BB07 ,  5F052DA02 ,  5F052DB02 ,  5F052DB07 ,  5F052JA01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD13 ,  5F110GG02 ,  5F110GG13 ,  5F110GG15 ,  5F110GG43 ,  5F110GG45 ,  5F110GG47 ,  5F110PP03
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (3)

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