レーザ処理装置及び半導体装置の製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本孝久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996213162
Publication number (International publication number)：1998041244
Application date： Jul. 24, 1996
Publication date： Feb. 13, 1998
Summary：

【要約】【課題】半導体薄膜といった被処理物の結晶性を向上させることができ、あるいは又、結晶性を均一化することができ、しかも高いスループットを達成し得るレーザ処理装置を提供する。【解決手段】レーザ処理装置は、(イ)複数の線状のレーザビームA,Bをパルス状に且つ互いに平行に射出し得るエキシマレーザ装置10、及び、(ロ)被処理物31を載置し、レーザビームA,Bと被処理物31との相対的な位置を、該線状のレーザビームA,Bの長手方向と略直角方向に移動させる移動手段を備えたステージ20を具備し、それぞれのレーザビームA,Bが被処理物31を照射する領域は異なる。

Claim (excerpt)：

(イ)複数の線状のレーザビームをパルス状に且つ互いに平行に射出し得るエキシマレーザ装置、及び、(ロ)被処理物を載置し、レーザビームと被処理物との相対的な位置を、該線状のレーザビームの長手方向と略直角方向に移動させる移動手段を備えたステージ、を具備し、それぞれのレーザビームが被処理物を照射する領域は異なることを特徴とするレーザ処理装置。

IPC (4)：

H01L 21/268 , H01L 21/20 , H01L 29/786 , H01L 21/336

FI (4)：

H01L 21/268 Z , H01L 21/20 , H01L 29/78 627 G , H01L 29/78 627 F

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

多結晶半導体膜の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-214717 Applicant：三洋電機株式会社
液晶表示装置の製造装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-212184 Applicant：東京エレクトロン株式会社
特開平3-284831

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