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J-GLOBAL ID:200903072116948890
冷媒冷却型両面冷却半導体装置
Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1):
大川 宏
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000172091
Publication number (International publication number):2001352023
Application date: Jun. 08, 2000
Publication date: Dec. 21, 2001
Summary:
【要約】【課題】簡素な構造で優れた放熱能力を実現することができ、液漏れの心配も低減可能な冷媒冷却型両面冷却半導体装置を提供すること。【解決手段】 厚さ方向に所定間隔を隔てて主面方向が互いに平行となるように配置される複数の半導体モジュール1を、扁平でつづら折り形状の冷媒チュ-ブ2で挟み、挟圧部材6、7、10で挟圧して構成することにより、単一の冷媒チュ-ブで一個又は必要個数の両面放熱型半導体モジュ-ルの両面を均等かつ良好に冷却することができる。
Claim (excerpt):
半導体チップ又は両面冷却型半導体モジュールと、扁平な接触受熱面を有して冷却流体が内部を流れる冷媒チュ-ブと、を備え、前記冷媒チュ-ブは、つづら折り形状を有して前記半導体チップ又は両面放熱型半導体モジュ-ルの両側の前記主面に絶縁スペ-サを介して密接することを特徴とする冷媒冷却型両面冷却半導体装置。
IPC (3):
H01L 23/40
, H01L 23/473
, H05K 7/20
FI (3):
H01L 23/40 D
, H05K 7/20 N
, H01L 23/46 Z
F-Term (11):
5E322AA07
, 5E322AB01
, 5E322AB08
, 5E322DA03
, 5E322EA11
, 5F036AA01
, 5F036BB44
, 5F036BC03
, 5F036BC09
, 5F036BC22
, 5F036BE06
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (6)
-
平型半導体素子
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-067547
Applicant:富士電機株式会社
-
ヒートシンクおよびその製造方法
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平9-246136
Applicant:群馬アルミニウム株式会社, 上田金属株式会社
-
半導体スタツク装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平3-244891
Applicant:大阪電気株式会社
-
発熱体パッケージの冷却構造
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平6-131505
Applicant:富士通株式会社
-
平形半導体素子用の液冷ブロックフィン
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平8-203097
Applicant:東洋電機製造株式会社
-
基板の冷却装置
Gazette classification:公開公報
Application number:特願平5-195330
Applicant:大日本スクリーン製造株式会社
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