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J-GLOBAL ID：200903072120370290

配線形成方法及び装置

Inventor： 本郷 明久 ,  大野 寛二 ,  君塚 亮一 ,  松田 尚起
Applicant, Patent owner： 株式会社荏原製作所 ,  荏原ユージライト株式会社
Agent (1)： 渡邉 勇 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001197327
Publication number (International publication number)：2002222776
Application date： Jun. 28, 2001
Publication date： Aug. 09, 2002
Summary：

【要約】【課題】 基板表面に微細穴と大穴が混在しても、めっき膜の平坦性を向上させて、その後のCMP加工をディッシングの発生を防止しつつ短時間で行うことができるようにした配線形成方法及び装置を提供する。【解決手段】 表面に微細窪みを形成した基板を用意する工程と、前記基板の表面にめっき液中でめっきを施す工程と、前記基板の表面に形成されためっき膜をエッチング促進剤として機能する添加剤を含有したエッチング液中で電解エッチングする工程とを有する。

Claim (excerpt)：

表面に微細窪みを形成した基板を用意する工程と、前記基板の表面にめっき液中でめっきを施す工程と、前記基板の表面に形成しためっき膜をエッチング液中で電解エッチングする工程とを有することを特徴とする配線形成方法。

IPC (5)：

H01L 21/288 ,  C25F 3/02 ,  C25F 3/14 ,  C25F 7/00 ,  H01L 21/3205

FI (5)：

H01L 21/288 E ,  C25F 3/02 A ,  C25F 3/14 ,  C25F 7/00 L ,  H01L 21/88 K

F-Term (10)：

4M104BB04 ,  4M104DD52 ,  4M104HH12 ,  5F033JJ11 ,  5F033KK00 ,  5F033KK32 ,  5F033PP27 ,  5F033QQ08 ,  5F033QQ48 ,  5F033XX01

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• メッキ膜の形成方法及び形成装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-227111   Applicant：株式会社東芝
• 均一な薄膜を最小限のエッジ除外で基板上へ電着する方法および装置
  Gazette classification：公表公報   Application number：特願2002-558562   Applicant：ナトゥール・インコーポレイテッド