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J-GLOBAL ID：200903072123352676

ECR型プラズマ発生装置

Inventor： 坂本 雄一
Applicant, Patent owner： 坂本 雄一 ,  入江工研株式会社 ,  ニチメン株式会社
Agent (1)： 鈴江 武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1992329347
Publication number (International publication number)：1994310494
Application date： Dec. 09, 1992
Publication date： Nov. 04, 1994
Summary：

【要約】【目的】プラズマの高密度化並びに低不純物化が可能でありながら、均一で大口径のプラズマを発生させることができ、かつ装置全体の大型化も防止できる【構成】上下に離間した2枚の金属板4,5をこれらの間にマイクロ波の導波路を形成するように配設し、上方の金属板5の上にこれに沿って複数の永久磁石6,7を近接するもの相互が極性が反転するようにして配設することによりECR領域並びに曲がったミラー磁界を下方の金属板4の下側に形成し、この金属板4の前記永久磁石の磁極の真下にスリット10を形成して導波路を通るマイクロ波をこれらスリツよりECR領域に放射させてプラズマの発生に寄与させ、上記の曲がったミラー磁界に捕捉された荷電粒子のドリフト運動を利用してプラズマを生成する。

Claim (excerpt)：

2枚の金属板をこれらの間にマイクロ波の導波路を形成するように配設し、一方の金属板の上にこれに沿って複数の永久磁石を近接するもの相互が極性が反転するようにして配設することによりECR領域並びに曲がったミラー磁界を他方の金属板の下側に形成し、この他方の金属板の前記永久磁石の磁極の真下に開口を形成して導波路を通るマイクロ波をこれら開口よりECR領域に放射させてプラズマの発生に寄与させ、上記の曲がったミラー磁界に捕捉された荷電粒子のドリフト運動を利用して高密度プラズマを生成することを特徴とするECR型プラズマ発生装置。

IPC (5)：

H01L 21/31 ,  C23C 14/35 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/302 ,  H05H 1/46

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• マイクロ波放電反応装置及び電極装置
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平2-400904   Applicant：佐藤徳芳, 飯塚哲, 日電アネルバ株式会社