光増幅素子

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：小池龍太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993090719
Publication number (International publication number)：1994283824
Application date： Mar. 25, 1993
Publication date： Oct. 07, 1994
Summary：

【要約】【目的】光増幅素子の光増幅の偏光方向における依存性を広い光波長の範囲で低減すること、およびキャリア注入を変化させても、光増幅素子の利得の偏光方向における依存性の変化を低減することが目的である。【構成】基板1と、活性領域2と、クラッド層3とを有する光増幅素子において、活性領域2は、光閉じ込め層2aと、少なくとも一層が他層と厚さが相違し、かつ格子不整合とされた複数の量子井戸層2bと、各量子井戸層間に量子井戸層に接して形成された障壁層2cとで構成した。

Claim (excerpt)：

基板(1)と、活性領域(2)と、クラッド層(3)とを有する光増幅素子において、前記活性領域は光閉じ込め層(2a)と、少なくとも一層が他層と厚さが相違し、かつ格子不整合とされた複数の量子井戸層(2b)と、前記各量子井戸層間に量子井戸層に接して形成された障壁層(2c)とでなる光増幅素子。

IPC (3)：

H01S 3/18 , G02F 1/35 501 , H01S 3/10

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

量子井戸型半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-138743 Applicant：株式会社東芝
特開平2-304993

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