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J-GLOBAL ID：200903072206301143

パターン形成方法及び半導体装置の製造方法及び感放射線組成物

Inventor：
老泉 博昭

About 老泉 博昭

, 
服部 孝司

About 服部 孝司


Applicant, Patent owner：
株式会社日立製作所

About 株式会社日立製作所


Agent (1)： 小川 勝男
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998270894
Publication number (International publication number)：2000100705
Application date： Sep. 25, 1998
Publication date： Apr. 07, 2000
Summary：
【要約】【課題】 193nmに対する透過率が高く、保存安定性に優れ、ドライエッチング耐性が高くかつアルカリ現像液に均一に溶解する樹脂からなる感放射線組成物、パターン形成方法および半導体装置の製造方法を提供すること。【解決手段】 環状オレフィン化合物及び二重結合を有する環状酸無水物化合物の共重合体の、酸無水物構造の少なくとも一部を還元しラクトン構造にした樹脂を用いた感放射線組成物およびそれを用いるパターン形成方法による。【効果】 193nmに対する透過率が高く、保存安定性に優れ、ドライエッチング耐性が高くかつアルカリ現像液に均一に溶解でき、リソグラフィの実用化、コスト削減、及び信頼性が向上し、レジストパタ-ンの線幅制御性も良好となる。
Claim (excerpt)：
所定の基板上に感光性組成物からなる塗膜を形成する工程、該塗膜に所定パターン状に活性化学線を照射することで該塗膜中に所望のパターンの潜像を形成する工程、水性アルカリ現像液を用いて該塗膜中に所望のパターンを現像する工程を少なくとも含むことを特徴とするパターン形成方法において、該感光性組成物のベース樹脂成分が、少なくとも環状オレフィン化合物及び二重結合を有する環状酸無水物化合物の共重合体であり、なおかつ該酸無水物部分の少なくとも一部を還元してラクトン構造にした樹脂であることを特徴とするパターン形成方法。
IPC (3)：
H01L 21/027 ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/40 521
FI (4)：
H01L 21/30 502 R ,  G03F 7/027 502 ,  G03F 7/40 521 ,  H01L 21/30 574
F-Term (27)：
2H025AA02 ,  2H025AA03 ,  2H025AB16 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BC81 ,  2H025BE07 ,  2H025CB06 ,  2H025CB41 ,  2H025EA05 ,  2H025FA16 ,  2H096AA25 ,  2H096BA09 ,  2H096CA14 ,  2H096EA05 ,  2H096GA09 ,  5F046AA28 ,  5F046CA04 ,  5F046CA08 ,  5F046JA04 ,  5F046JA22 ,  5F046KA04 ,  5F046LA12 ,  5F046LA18 ,  5F046MA11 ,  5F046PA01
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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