薄膜熱電対集積型熱電変換デバイス

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：草野卓 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001138442
Publication number (International publication number)：2002335021
Application date： May. 09, 2001
Publication date： Nov. 22, 2002
Summary：

【要約】【課題】薄膜材料の種類を問わず、成膜でき、平板型構造の両面で吸・放熱する形態の高熱電変換効率・低コストの薄膜熱電対集積型熱電変換デバイスを提供する。【解決手段】 P型熱電半導体薄膜27とN型熱電半導体薄膜28とが一端部において電気的接合層29を介し、残部において絶縁層31を介して積層されてなる薄膜熱電対22を基板23上に配列形成する。各薄膜熱電対22は導体32によって電気的に直列接続される。薄膜熱電対22の電気的接合層29が位置する部分及びそれと反対側の導体32に、共に熱伝導体よりなる上板24及び底板25に設けた凸部35及び36をそれぞれ接触させる。

Claim (excerpt)：

基板と、その基板上に配列形成され、P型熱電半導体薄膜とN型熱電半導体薄膜とが一端部において電気的接合層を介し、残部において絶縁層を介して積層されてなる複数の薄膜熱電対と、それら薄膜熱電対の上記一端部と反対の他端部に配置されて上記複数の薄膜熱電対を電気的に直列に接続する導体と、上記の薄膜熱電対の配列上に位置され、その薄膜熱電対との対向面に突出形成された凸部が上記一端部上において各薄膜熱電対と接触する構造とされた熱伝導体よりなる上板とを具備することを特徴とする薄膜熱電対集積型熱電変換デバイス。

IPC (5)：

H01L 35/32 , H01L 35/08 , H01L 35/14 , H01L 35/34 , H02N 11/00

FI (5)：

H01L 35/32 A , H01L 35/08 , H01L 35/14 , H01L 35/34 , H02N 11/00 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

熱電素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-182156 Applicant：松下電器産業株式会社

Return to Previous Page