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J-GLOBAL ID：200903072246548060

力学量センサ

Inventor： 斎藤 紳治
Applicant, Patent owner： 松下電器産業株式会社
Agent (1)： 池内 寛幸 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995151412
Publication number (International publication number)：1996075570
Application date： Jun. 19, 1995
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【目的】 薄膜プロセスを用いて、微小かつ平面状に応力磁気効果を用いたセンサを形成し、小型化、集積化、高感度化をはかった力学量センサを提供する。【構成】 磁歪を有する強磁性体層13と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層15と、これら強磁性体層を励磁する磁場発生手段(12,14)と、これらを一体的に支持する基板11を備え、応力による磁気特性の変化に起因する前記強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気抵抗効果により抵抗値の変化として入出力端子で検出することにより、小型かつ薄型で、集積化が可能な高感度の力学量センサを形成する。その結果、応力磁気効果を利用した、小型かつ薄型で高感度の力学量センサとすることができる。また検出感度の異方性に基づいて、ある方向に沿った応力の強さを選択的に検出できる。

Claim (excerpt)：

磁歪を有する強磁性体層と、磁気抵抗効果を有する強磁性体層と、これら強磁性体層を励磁する磁場発生手段と、これらを一体的に支持する基板を備え、応力による磁気特性の変化に起因する前記強磁性体層を通る磁束密度の変化を、磁気抵抗効果により抵抗値の変化として検出することを特徴とする力学量センサ。

IPC (3)：

G01L 1/00 ,  G01B 7/16 ,  G01L 1/12

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (1)

• ひずみ検出器
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-001275   Applicant：富士通株式会社