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J-GLOBAL ID：200903072261168347

レジストパターン形成方法

Inventor：
森 重恭

About 森 重恭


Applicant, Patent owner：
シャープ株式会社

About シャープ株式会社


Agent (1)： 野河 信太郎
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994138901
Publication number (International publication number)：1995070493
Application date： Jun. 21, 1994
Publication date： Mar. 14, 1995
Summary：
【要約】【目的】 パターン又はマスクの製造工程の複雑化を招くことなく、マスクのL&Sピッチ以下の微細パターンを形成する解像度の高いパターンを得ることができるレジストパターンの形成方法を提供することを目的としている。【構成】 (i) 基板又は薄膜上に、ヒドロキシスチレン系オリゴマー(但し、ヒドロキシ基の少なくとも1部が官能基で置換されている)と光酸発生剤とからなるレジスト溶液を塗布し、(ii)前記レジスト溶液が塗布された基板又は薄膜に、所望のパターンを有するマスクを介して、前記光酸発生剤から酸を発生させるとともに、前記オリゴマーの重合をおこすのに十分な露光量で露光した後、ベークし、(iii) 得られた露光膜をアルカリ現像液で処理して、1つの露光部位中に、レジスト除去部分とレジスト未除去部分とを含むレジストパターンを形成することからなるレジストパターンの形成方法。
Claim (excerpt)：
(i) 基板又は薄膜上に、ヒドロキシスチレン系オリゴマー(但し、ヒドロキシ基の少なくとも1部が官能基で置換されている)と光酸発生剤とからなるレジスト溶液を塗布し、(ii)前記レジスト溶液が塗布された基板又は薄膜に、所望のパターンを有するマスクを介して、前記光酸発生剤から酸を発生させるとともに、前記オリゴマーの重合をおこすのに十分な露光量で露光した後、ベークし、(iii) 得られた露光膜をアルカリ現像液で処理して、1つの露光部位中に、レジスト除去部分とレジスト未除去部分とを含むレジストパターンを形成することからなるレジストパターンの形成方法。
IPC (8)：
C09D 11/00 PTE ,  G03F 7/004 501 ,  G03F 7/004 515 ,  G03F 7/023 511 ,  G03F 7/028 ,  G03F 7/30 ,  G03F 7/38 511 ,  H01L 21/027
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (2)

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