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J-GLOBAL ID：200903072273690901

p型III族窒化物半導体とその製造方法

Inventor：
赤崎 勇

About 赤崎 勇

, 
天野 浩

About 天野 浩

, 
山口 栄雄

About 山口 栄雄


Applicant, Patent owner：
科学技術振興事業団

About 科学技術振興事業団


Agent (1)： 西 義之
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999266361
Publication number (International publication number)：2001094149
Application date： Sep. 20, 1999
Publication date： Apr. 06, 2001
Summary：
【要約】【課題】 p型III 族窒化物半導体のキャリア注入の高効率化および抵抗の低減化を実現する手段の開発。【構成】 基板上に設けたバッファ層上に有機金属化合物気相成長法により原料ガスとして少なくともガリウム源のガスと窒素源のガスとp型不純物を含むガスを用いてGaN系半導体を成長させる方法において、p型不純物を含むガスとしてMgを含むガスを用い、これらの原料のキャリアガスとして実質的に窒素ガスを用いるとともに、インジウム源のガスをインジウム源ガスのモル比がガリウム源ガス1に対して0.001以上で1以下となる量とし、成長温度を950〜1050°Cの範囲において室温で測定した正孔キャリア濃度1×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以上が得られる温度とすることにより、1×10<SP>17</SP>〜5×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>のInを含むMgをドープしたAl<SB>1-x-y </SB>Ga<SB>y </SB>In<SB>x </SB>N(ただし、0≦y<1、xは1×10<SP>17</SP>〜5×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>に相当するモル分率、0<x+y≦1)膜を形成することによりアニールの工程をとること無しで正孔キャリア濃度を増大させる。
Claim (excerpt)：
1×10<SP>17</SP>〜5×10<SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>のInを含むMgをドープしたAl<SB>1-x-y </SB>Ga<SB>y </SB>In<SB>x </SB>N(ただし、0≦y<1、xは1×10<SP>17</SP>〜5×10<SP></SP><SP>20</SP>cm<SP>-3</SP>に相当するモル分率、0<x+y≦1)膜であって、アニールされていないで室温で測定した正孔キャリア濃度が1×10<SP>17</SP>cm<SP>-3</SP>以上であることを特徴とするp型III 族窒化物半導体。
IPC (3)：
H01L 33/00 ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
FI (3)：
H01L 33/00 C ,  H01L 21/205 ,  H01S 5/323
F-Term (41)：
5F041AA03 ,  5F041CA40 ,  5F041CA57 ,  5F041CA65 ,  5F045AA04 ,  5F045AB09 ,  5F045AB14 ,  5F045AB17 ,  5F045AB18 ,  5F045AC07 ,  5F045AC08 ,  5F045AC09 ,  5F045AC12 ,  5F045AC15 ,  5F045AD13 ,  5F045AD14 ,  5F045AE23 ,  5F045AE25 ,  5F045AE29 ,  5F045AF02 ,  5F045AF03 ,  5F045AF09 ,  5F045AF13 ,  5F045BB08 ,  5F045BB16 ,  5F045CA11 ,  5F045CA12 ,  5F045DA53 ,  5F045DA59 ,  5F045DP07 ,  5F045DQ06 ,  5F045EB15 ,  5F045EE12 ,  5F045EK03 ,  5F073CA17 ,  5F073CB05 ,  5F073CB07 ,  5F073CB19 ,  5F073DA05 ,  5F073EA23 ,  5F073EA24
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1) Cited by examiner (1)

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