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J-GLOBAL ID：200903052775668259

窒化物系半導体素子及びその製造方法

Inventor：
杉浦 理砂

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鈴木 真理子

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板谷 和彦

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藤本 英俊

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西尾 譲司

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ジョン・レニー

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菅原 秀人

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Applicant, Patent owner：
株式会社東芝

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Agent (1)： 鈴江 武彦 (外6名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1997037990
Publication number (International publication number)：1998135575
Application date： Feb. 21, 1997
Publication date： May. 22, 1998
Summary：
【要約】【課題】 本発明は、成長後の熱処理を不要として低廉化及び生産性の向上を図りつつ、p型伝導層の品質を向上させ、長寿命化と信頼性の向上を図る。【解決手段】 基板(11)上に、少なくともn型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-</SB><SB>z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>(0≦x、0≦y、0≦z、0≦x+y+z≦1、0<m、0≦n、0<m+n≦1を含む)層(14)と、p型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-</SB><SB>x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>(0≦x、0≦y、0≦z、0≦x+y+z≦1、0<m、0≦n、0<m+n≦1を含む)層(19)と、電極(22)との積層構造を備えた窒化物系半導体素子において、p型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>層の表面酸素濃度が5×10<SP>18</SP>cm<SP>-3</SP>以下である窒化物系半導体素子及びその製造方法。
Claim (excerpt)：
基板上に、少なくともn型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>(0≦x、0≦y、0≦z、0≦x+y+z≦1、0<m、0≦n、0<m+n≦1を含む)層と、p型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>(0≦x、0≦y、0≦z、0≦x+y+z≦1、0<m、0≦n、0<m+n≦1を含む)層と、電極との積層構造を備えた窒化物系半導体素子において、前記p型In<SB>x </SB>Al<SB>y </SB>Ga<SB>z </SB>B<SB>1-x-y-z </SB>N<SB>m </SB>P<SB>n </SB>As<SB>1-m-n </SB>層の表面酸素濃度は、5×10<SP>18</SP>cm<SP>-3</SP>以下であることを特徴とする窒化物系半導体素子。
IPC (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 29/12 ,  H01L 33/00
FI (4)：
H01S 3/18 ,  H01L 21/205 ,  H01L 33/00 C ,  H01L 29/14
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (16)
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