半導体装置及び表示装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田研二 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002102591
Publication number (International publication number)：2003173154
Application date： Apr. 04, 2002
Publication date： Jun. 20, 2003
Summary：

【要約】【課題】被駆動素子に安定して電力供給可能な構成の実現。【解決手段】マトリクス状に配置された各画素は、有機EL素子50、第1TFT10、第2TFT20、保持容量Cs、リセット用の第3TFT30を備え、第1TFT10は、ゲート信号に応じてデータ信号を取り込み、第2TFT20は駆動電源ラインVLにドレイン、有機EL素子50にソースが接続され、データ信号をゲートに受けて駆動電源Pvddから有機EL素子50への供給電流を制御する。保持容量Csの第1電極7は第2TFT20のゲート、第2電極8は第2TFT20のソース及び有機EL素子に接続され、第2TFT20のVgsを保持する。第3TFT30は保持容量Cs充電時に第2電極電位を固定する。

Claim (excerpt)：

選択信号をゲートに受けて動作し、データ信号を取り込むスイッチング用薄膜トランジスタと、駆動電源にドレインが接続され、被駆動素子にソースが接続され、前記スイッチング用薄膜トランジスタから供給されるデータ信号をゲートに受けて、前記駆動電源から前記被駆動素子に供給する電力を制御する素子駆動用薄膜トランジスタと、第1電極が前記スイッチング用薄膜トランジスタと前記素子駆動用薄膜トランジスタの前記ゲートとに接続され、第2電極が前記素子駆動用薄膜トランジスタのソースと前記被駆動素子との間に接続され、前記データ信号に応じて前記素子駆動用薄膜トランジスタのゲートソース間電圧を保持する保持容量と、前記保持容量の第2電極の電位を制御するためのスイッチ素子と、を有することを特徴とする半導体装置。

IPC (8)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 , G09G 3/20 624 , G09G 3/20 642 , G09G 3/30 , H01L 21/336 , H01L 29/786 , H05B 33/14

FI (7)：

G09F 9/30 338 , G09F 9/30 365 Z , G09G 3/20 624 B , G09G 3/20 642 A , G09G 3/30 J , H05B 33/14 A , H01L 29/78 612 Z

F-Term (48)：

3K007AB02 , 3K007AB04 , 3K007AB17 , 3K007AB18 , 3K007BA06 , 3K007BB07 , 3K007DB03 , 3K007GA02 , 3K007GA04 , 5C080AA06 , 5C080BB05 , 5C080CC03 , 5C080DD05 , 5C080DD22 , 5C080DD29 , 5C080EE19 , 5C080EE29 , 5C080FF11 , 5C094AA04 , 5C094AA07 , 5C094AA55 , 5C094BA03 , 5C094BA27 , 5C094CA19 , 5C094DB01 , 5C094DB04 , 5C094EA04 , 5C094FB01 , 5C094FB12 , 5C094FB14 , 5C094FB15 , 5C094FB20 , 5F110AA04 , 5F110AA16 , 5F110BB02 , 5F110CC02 , 5F110DD02 , 5F110EE04 , 5F110EE28 , 5F110GG02 , 5F110GG13 , 5F110HJ01 , 5F110HL03 , 5F110HM14 , 5F110HM15 , 5F110NN73 , 5F110NN74 , 5F110NN78

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

電気光学装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-100257 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Cited by examiner (1)

電気光学装置およびその作製方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2000-100257 Applicant：株式会社半導体エネルギー研究所

Return to Previous Page