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J-GLOBAL ID:200903072354617907

磁気抵抗効果膜および磁気抵抗効果型ヘッド

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 皿田 秀夫 (外1名)
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):1997163262
Publication number (International publication number):1998340813
Application date: Jun. 05, 1997
Publication date: Dec. 22, 1998
Summary:
【要約】【課題】 熱安定性に優れ、ブロッキング温度が十分に高く、ピン止め効果に極めて優れる良質の反強磁性層を備える磁気抵抗効果膜を提供する。さらに、熱安定性に優れ、磁場感度が高く、MR変化率が大きい磁気抵抗効果型ヘッドを提供する。【解決手段】 非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために強磁性層の上(非磁性金属層と接する面と反対側の面)に形成された反強磁性層とを有する磁性多層膜を備えてなるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜であって、前記反強磁性層中には不純物としての酸素を含有し、その酸素濃度が1〜2000原子ppmとなるよう構成される。
Claim (excerpt):
非磁性金属層と、非磁性金属層の一方の面に形成された強磁性層と、非磁性金属層の他方の面に形成された軟磁性層と、前記強磁性層の磁化の向きをピン止めするために強磁性層の上(非磁性金属層と接する面と反対側の面)に形成された反強磁性層とを有する磁性多層膜を備えてなるスピンバルブ型の磁気抵抗効果膜であって、前記反強磁性層中には不純物としての酸素を含有し、その酸素濃度が1〜2000原子ppmであることを特徴とする磁気抵抗効果膜。
IPC (3):
H01F 10/30 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08
FI (3):
H01F 10/30 ,  G11B 5/39 ,  H01L 43/08 Z
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (2)

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