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J-GLOBAL ID：200903072379397928
3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
藤谷 修
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996120905
Publication number (International publication number)：1997283861
Application date： Apr. 17, 1996
Publication date： Oct. 31, 1997
Summary：
【要約】【課題】レーザダイオードの共振器端面の平行度を向上させると共に電流を供給する下層の抵抗を小さくし、発振効率を向上させる【解決手段】レーザダイオードの下層に対する電極を形成するために、上層の一部をエッチングして下層の一部を露出させるエッチングを行い、その後に、上層と下層の電極を形成した後、共振器端面を形成するためのエッチングを行う。電極形成のためのエッチングと共振器端面を形成するエッチングとを分離して行っているため、共振器端面を形成するエンチングを深く実行できるため、エッチング溝の垂直度の高い部分を共振器端面とすることができる。又、電極形成のエッチング溝は端面形成とは別に実行されるため、活性層に電流を供給する下層の厚さがこのエッチングで薄くなることがなく、その層の抵抗を小さくできる。端面形成は電極形成後であるので端面の汚染が防止され、反射率を向上できる。
Claim (excerpt)：
基板上に3族窒化物半導体から成るp層とn層とを形成した3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法において、前記基板上に3族窒化物半導体から成る各層を形成し、下層に対する電極形成のために、上層の一部をエッチングし、露出された下層及び最上層に電極層を形成し、共振器の端面を形成するために前記各層をエッチングすることから成る3族窒化物半導体レーザダイオードの製造方法。
IPC (2)：
FI (2)：
Patent cited by the Patent：
Cited by applicant (1)
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半導体発光素子およびその製法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-202480
Applicant：ローム株式会社
Cited by examiner (1)
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半導体発光素子およびその製法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平6-202480
Applicant：ローム株式会社
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