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J-GLOBAL ID：200903072392794251

太陽電池の埋込電極の形成方法及び太陽電池の製造方法

Inventor： 金子 昌弘 ,  中村 京太郎
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (3)： 山崎 宏 ,  前田 厚司 ,  森川 淳
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005289945
Publication number (International publication number)：2007103572
Application date： Oct. 03, 2005
Publication date： Apr. 19, 2007
Summary：

【課題】歩留まりの低下を防止でき、太陽電池の寿命の短縮や性能の低下を防止でき、基板材料の節減と太陽電池の薄型化を行うことができる太陽電池の埋込電極の形成方法を提供すること。【解決手段】P型シリコン基板101の表面にエッチングマスク層102を形成し、レーザーでパターニングを行って開口104を形成する。この開口104を介して、酸性又はアルカリ性溶液を用いてシリコン基板101をエッチングして、溝105を形成する。エッチングマスク層102を拡散マスクとして、溝105の内側面にN++拡散層107を形成する。エッチングマスク層102を除去し、シリコン基板101の表面にN+拡散層108を形成する。N++拡散層107及びN+拡散層108上に、パッシベーション膜および入射光の反射防止膜として機能するSiNx膜109を形成する。溝105内に、印刷によってAgペーストを埋め込んで埋込電極114を形成する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

半導体基板の表面にエッチングマスク層を形成する工程と、 上記エッチングマスク層をパターニングする工程と、 上記エッチングマスク層のパターニングで除去された部分に対応する上記半導体基板の部分に、エッチングによって溝を形成する工程と、 上記半導体基板の溝内に導電体を埋め込む工程と を備えることを特徴とする太陽電池の埋込電極の形成方法。

IPC (1)：

H01L 31/04

FI (1)：

H01L31/04 H

F-Term (13)：

5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051BA14 ,  5F051CB20 ,  5F051CB21 ,  5F051CB27 ,  5F051DA03 ,  5F051FA10 ,  5F051FA13 ,  5F051FA16 ,  5F051FA19 ,  5F051FA24 ,  5F051GA15

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 太陽電池の製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平4-124991   Applicant：シャープ株式会社