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J-GLOBAL ID：200903072415765653

窒化物半導体レーザ素子

Inventor： 山田 孝夫 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996028840
Publication number (International publication number)：1997223846
Application date： Feb. 16, 1996
Publication date： Aug. 26, 1997
Summary：

【要約】【目的】 窒化物半導体よりなるレーザチップをヒートシンク、サブマウント等にボンディングするにあたり、主として、チップの放熱が十分に行われるレーザ素子の新規な構造を提供して、素子寿命を向上させ、連続発振できるようにすると共に、レーザ素子の信頼性を向上させる。【構成】 同一面側に正負一対の電極を有するレーザチップが、支持体にフェイスダウンでボンディングされてなるレーザ素子であって、前記支持体の表面には絶縁膜が形成されると共に、その絶縁膜の表面にリード電極が形成されており、前記レーザチップの少なくとも一方の電極が前記リード電極にボンディングされていることにより、金属製の支持体を用いることができるため、放熱性が高まる。

Claim (excerpt)：

同一面側に正負一対の電極を有するレーザチップが、支持体にフェイスダウンでボンディングされてなるレーザ素子であって、前記支持体の表面には絶縁膜が形成されると共に、その絶縁膜の表面にリード電極が形成されており、前記レーザチップの少なくとも一方の電極が前記リード電極にボンディングされていることを特徴とする窒化物半導体レーザ素子。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/043

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01S 3/04 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

• 半導体発光素子、およびその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-194224   Applicant：ローム株式会社
• 半導体レーザ素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-042126   Applicant：日亜化学工業株式会社
• 特開平2-281679
  
• 特開平4-237179