半導体発光素子、およびその製造方法

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：吉田稔 (外2名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1994194224
Publication number (International publication number)：1996064872
Application date： Aug. 18, 1994
Publication date： Mar. 08, 1996
Summary：

【要約】【目的】半導体発光素子のリードフレーム等に対するワイヤボンディングの個数を削減して、その結線作業を簡便に行えるようにするとともに、半導体発光素子における実質的発光領域を可及的に増大させる。【構成】透明の絶縁性基板3の表面上に各半導体層4,5,6を形成しかつ各層の所定箇所にN側電極9およびP側電極10を形成して構成される素子本体2と、導電性基板12の表面に対して絶縁状態となるように形成された補助N側電極層15および導通状態となるように形成された補助P側電極層14を有するサブマウント部材11と、を備え、上記サブマウント部材11と上記素子本体2との双方の表面側を相互に対向させて配置し、かつ上記補助N側電極層15と上記N側電極9との間、および上記補助P側電極層14と上記P側電極10との間がそれぞれ導通状態となるように、上記サブマウント部材11と上記素子本体2とを一体化させる。

Claim (excerpt)：

透明の絶縁性基板の表面上にN型半導体層、発光層、およびP型半導体層を形成しかつ上記N型半導体層およびP型半導体層のそれぞれの露出表面部にN側電極およびP側電極を形成して構成される素子本体と、導電性基板の表面に対して絶縁状態となるように形成された補助N側電極層および導通状態となるように形成された補助P側電極層を有するサブマウント部材と、を備えるとともに、上記サブマウント部材と上記素子本体との双方の表面側を相互に対向させて配置し、かつ、上記補助N側電極層と上記N側電極との間、および上記補助P側電極層と上記P側電極との間がそれぞれ導通状態となるように、上記サブマウント部材と上記素子本体とを一体化させたことを特徴とする、半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (8)

特開昭58-070584
青色発光素子及びその製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-351947 Applicant：日亜化学工業株式会社
半導体発光素子
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平3-341001 Applicant：京セラ株式会社

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