Pat
J-GLOBAL ID：200903072469160935
フォトレジスト単量体とその製造方法、フォトレジスト共重合体とその製造方法、フォトレジスト組成物、フォトレジストパタ-ンの製造方法、及び半導体素子
Inventor：
,
,
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
荒船 博司 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999133380
Publication number (International publication number)：2000038391
Application date： May. 13, 1999
Publication date： Feb. 08, 2000
Summary：
【要約】【課題】 遠紫外線領域で使用可能な感光膜樹脂製造用単量体を提供する。【解決手段】 遠紫外線領域で使用可能な感光膜樹脂製造用単量体であり、有用な下記式(1)で示されるオキサビシクロ化合物を製造する。【化1】前記式で、R1及びR2は同じか或いは異なり、水素又は炭素数1〜4の直鎖又は枝分れ鎖に置換されたアルキルであり、mは1〜4の数を示す。さらに前記オキサビシクロ化合物が導入されたArF又はKrF感光膜樹脂、及びこれを利用した感光膜微細パターンを形成する。
Claim (excerpt)：
下記式(1)で示されるフォトレジスト単量体。【化1】前記式で、R1及びR2は同じか或いは異なり、水素又は炭素数1〜4の直鎖又は枝分れ鎖に置換されたアルキルであり、mは1〜4の数を示す。
IPC (6)：
C07D493/08
, C08F 22/06
, C08F 32/00
, C08L 45/00
, G03F 7/038
, G03F 7/039
C07D493/08 A
, C08F 22/06
, C08F 32/00
, C08L 45/00
, G03F 7/038
, G03F 7/039
Cited by examiner (2)
-
特開昭58-025630
-
特開昭53-079846
Article cited by the Patent：
Return to Previous Page
