イオン源の制御方法およびイオンドーピング装置

Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：山本惠二
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999195758
Publication number (International publication number)：2001023532
Application date： Jul. 09, 1999
Publication date： Jan. 26, 2001
Summary：

【要約】【課題】第1ないし第3の放電発生手段を有するイオン源から引き出すイオンビームの均一性および注入イオンの均一性を高め、かつこれらの均一性の安定性を高める。【解決手段】このイオン源20は、第1ないし第3の放電発生手段として、第1ないし第3のフィラメント1〜3を有している。そして、中央に位置する第2のフィラメント2への投入電力を、第1ないし第3のフィラメント1〜3への投入電力の平均値に対して90%〜100%の範囲内に制御し、かつ両側に位置する第1および第3のフィラメント1および3への投入電力を、両者への投入電力の平均値が、第1ないし第3のフィラメント1ないし3への投入電力の平均値に対して100%〜105%の範囲内に入るように制御する。

Claim (excerpt)：

平面形状が矩形をしていて、ホウ素、リンまたはヒ素を含むイオン源ガスが導入されるプラズマ室容器と、このプラズマ室容器内で放電をそれぞれ発生させて前記イオン源ガスを電離させてプラズマを生成するものであって、当該プラズマ室容器の矩形の長辺に沿う方向に順に配置された第1ないし第3の放電発生手段と、前記プラズマ室容器内に生成されたプラズマからイオンビームを引き出す引出し電極系とを備えるイオン源において、前記第2の放電発生手段への投入電力を、前記第1ないし第3の放電発生手段への投入電力の平均値に対して90%〜100%の範囲内に制御し、かつ前記第1および第3の放電発生手段への投入電力を、両者への投入電力の平均値が、前記第1ないし第3の放電発生手段への投入電力の平均値に対して100%〜105%の範囲内に入るように制御することを特徴とするイオン源の制御方法。

IPC (5)：

H01J 27/08 , H01J 27/16 , H01J 37/08 , H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (5)：

H01J 27/08 , H01J 27/16 , H01J 37/08 , H01J 37/317 Z , H01L 21/265 603 A

F-Term (8)：

5C030DD01 , 5C030DD02 , 5C030DD05 , 5C030DE02 , 5C030DE09 , 5C030DG09 , 5C034CC01 , 5C034CD02

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (4)

イオン注入装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平9-103757 Applicant：ソニー株式会社
特開平3-078954
特開平3-134937

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