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J-GLOBAL ID：200903072562388849

半導体シリコンウェーハ並びにその製造方法と熱処理装置

Inventor： 足立 尚志 ,  佐野 正和 ,  定光 信介 ,  久保田 剛志
Applicant, Patent owner： 住友金属工業株式会社
Agent (1)： 押田 良久
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1998100052
Publication number (International publication number)：1999260677
Application date： Mar. 27, 1998
Publication date： Sep. 24, 1999
Summary：

【要約】【課題】 CZ法により成長させたシリコン単結晶ウェーハ表面のCOP及び表層数μm深さのCOP源であり、八面体ボイドからなるGrown-in欠陥を効果的に消滅させたシリコン単結晶ウェーハとその製造方法の提供。【解決手段】 水素及び/又は不活性ガス雰囲気下の熱処理で、表面近傍の酸素を外方拡散させて、酸素の未飽和領域を形成して表面近傍の八面体ボイドの内壁酸化膜を除去した後、酸素または酸素と不活性ガスの混合ガス雰囲気での酸化熱処理を行い強制的に格子間シリコン原子を注入し、表面近傍の八面体ボイドを完全に消減させ、同時にウェーハ内部にIG層を形成する。

Claim (excerpt)：

チョクラルスキー法によるシリコン単結晶ウェーハであり、水素及び/または不活性ガス雰囲気下で熱処理され、さらに酸化雰囲気下で熱処理され格子間シリコンがウェーハ表面から強制的に注入されて表面から所要深さまでのCOP(Crystal Originated Particle)及びGrown-in欠陥が完全に消滅した半導体シリコンウェーハ。

IPC (6)：

H01L 21/02 ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/322 ,  H01L 21/324 ,  H01L 21/31 ,  H01L 21/316

FI (6)：

H01L 21/02 B ,  C30B 33/02 ,  H01L 21/322 Y ,  H01L 21/324 X ,  H01L 21/31 E ,  H01L 21/316 S

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• SOI基板及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平8-066027   Applicant：住友シチックス株式会社
• 特開昭57-201032