化学気相堆積チャンバ内でプラズマ前処理を用いた窒化タングステンの堆積

Inventor： , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：長谷川芳樹 (外2名)
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：1999505764
Publication number (International publication number)：2002507327
Application date： Jun. 26, 1998
Publication date： Mar. 05, 2002
Summary：

【要約】ウエハの上面の上に窒化タングステンの層が、向上した接着性をもって堆積される。この堆積は、窒化タングステンの堆積を行うに先立ち、先ずウエハを水素プラズマで前処理することにより行われる。

Claim (excerpt)：

プロセスチャンバ内で、部分的に形成された集積回路の上面に材料の層を堆積するための方法であって、前記方法は、 (a)処理チャンバ内に混合ガスを供給するステップであって、前記混合ガスは、タングステンを有する第1のガス組成物と、窒素と水素を有する第2のガス組成物とを有し、前記第2のガス組成物は、前記混合ガスにエネルギーを与えない限りにおいて、前記第1のガス組成物と反応して窒化タングステンを生成しないようなものである、ステップと、 (b)処理チャンバ内で前記混合ガスにエネルギーを与えて堆積プラズマを生成するステップとを備える方法。

IPC (4)：

H01L 21/285 301 , C23C 16/34 , C23C 16/52 , C23C 21/768

FI (5)：

H01L 21/285 301 R , C23C 16/34 , C23C 16/52 , C23C 16/52 C , C23C 21/90 A

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開昭64-005015
特開昭63-317676
半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平6-205630 Applicant：富士通株式会社

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