表面処理方法及びその装置、基板の表面処理方法、多層配線基板の形成方法、並びに液晶パネルの配向膜形成方法

Inventor： , , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：梅田明彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1995097470
Publication number (International publication number)：1996078529
Application date： Mar. 31, 1995
Publication date： Mar. 22, 1996
Summary：

【要約】【構成】大気圧またはその近傍の圧力下で少なくとも酸素を含む放電用ガス中に気体放電を生じさせ、該放電により生成されるガス活性種によって基板6上の金属膜7表面に金属酸化膜9を形成する。放電用ガスが少なくとも水素または有機物を含む場合は、ガス活性種に基板11表面の透明電極などの金属酸化膜13を曝露させて還元する。また、液体表面での気体放電させることにより、液体自体を表面処理し、又はその液体を用いて基板等を表面処理する。また、気体放電によるガス活性種を斜め方向に当てて、液晶パネル用ガラス基板に配向膜を形成する。【効果】基板上の配線や電極等の腐食を有効に防止できる。透明電極の透明度を維持しつつ、低抵抗化を図ることができる。気体放電に曝露させた液体に酸化等の表面処理能力を付与できる。液晶パネル用ガラス基板表面に非接触で配向膜が形成される。

Claim (excerpt)：

大気圧またはその近傍の圧力下で少なくとも酸素を含むガス中に気体放電を生じさせ、前記放電により生成される前記ガスの活性種に、基板に形成された金属層を曝露させ、前記金属層の表面を酸化させることを特徴とする基板の表面処理方法。

IPC (4)：

H01L 21/768 , G02F 1/1333 500 , G02F 1/1343 , H01L 21/314

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (5)

特開平2-281734
酸化銅の還元処理方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-032490 Applicant：松下電工株式会社, 岡崎幸子, 小駒益弘
特開昭61-203655

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