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J-GLOBAL ID：200903072626198828

半導体レーザ装置

Inventor： 元田 隆 ,  小野 健一
Applicant, Patent owner： 三菱電機株式会社
Agent (1)： 早瀬 憲一
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996044713
Publication number (International publication number)：1997246654
Application date： Mar. 01, 1996
Publication date： Sep. 19, 1997
Summary：

【要約】【課題】 井戸層とバリア層とがそれぞれ異なる歪を有する歪多重量子井戸活性層において、井戸層とバリア層の界面での転位等の格子欠陥の発生を防止する。【解決手段】 井戸層11は、Ga0.56In0.44Pからなる主要領域110と、この領域から井戸層/バリア層界面までの間で、その歪が-0.5%から-0.1%に漸次変化するように組成が漸次変化しているGaInPからなる遷移領域111とにより構成され、また、バリア層12は、(Al0.5 Ga0.5 )0.452In0.548 Pからなる主要領域120と、この領域からバリア層/井戸層界面までの間で、その歪が+0.4%から-0.1%まで漸次変化するように組成が漸次変化しているAlGaInPからなる遷移領域121とにより構成されている。

Claim (excerpt)：

均一の歪を有する主要領域をそれぞれ含む複数の井戸層と該井戸層の主要領域の歪とは異なる均一の歪を有する主要領域をそれぞれ含む複数のバリア層とが交互に積層されてなる歪多重量子井戸活性層を備えた半導体レーザ装置において、上記複数の井戸層及び上記複数のバリア層の内の少なくとも一層は、該層が含む上記主要領域から該層に隣接する層に近づくに従って該主要領域の歪から該層に隣接する層が含む上記主要領域の歪に近づくようにその歪が漸次変化する遷移領域を含み、上記遷移領域を含む層と該層に隣接した層の間の界面における該二層の歪量の差が、該二層の上記主要領域の歪量の差より小さいことを特徴とする半導体レーザ装置。

IPC (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00

FI (2)：

H01S 3/18 ,  H01L 33/00 B

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 特開平4-154181
  
• 歪多重量子井戸半導体レーザ
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平5-012291   Applicant：松下電器産業株式会社
• 特開平4-263483