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J-GLOBAL ID:200903072740495999

有機絶縁膜組成物およびこれを用いた有機絶縁膜のパターン形成方法および有機薄膜トランジスタおよびこれを含む表示素子

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (3): 磯野 道造 ,  多田 悦夫 ,  柏木 忍
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2005179808
Publication number (International publication number):2006028497
Application date: Jun. 20, 2005
Publication date: Feb. 02, 2006
Summary:
【課題】製造工程を単純化することができ、電荷移動度の高い有機薄膜トランジスタを完全ウェット工程によって製造することができる、有機絶縁膜組成物およびこれを用いた有機絶縁膜のパターン形成方法を提供する。【解決手段】特定の構造を有するエポキシ基含有化合物又は特定の構造を有するラジカル重合可能化合物と、光によって酸又はラジカルを発生させる開始剤と、有機高分子又は無機高分子とを含む有機絶縁膜組成物を用いる。【選択図】なし
Claim (excerpt):
下記化学式1で表わされる群から選択される少なくとも一つのエポキシド基含有化合物または下記化学式2で表わされる群から選択される少なくとも一つのラジカル重合可能化合物を含む官能基を持つ単量体と、 光によって酸またはラジカルを発生させる開始剤と、 有機高分子または無機高分子と、 を含むことを特徴とする有機絶縁膜組成物。
IPC (6):
C08L 63/00 ,  C08F 2/44 ,  C08F 2/50 ,  H01L 21/312 ,  H01L 29/786 ,  H01L 21/336
FI (7):
C08L63/00 Z ,  C08F2/44 C ,  C08F2/50 ,  H01L21/312 D ,  H01L29/78 617T ,  H01L29/78 617V ,  H01L29/78 618B
F-Term (54):
4J002AB012 ,  4J002BC102 ,  4J002BE022 ,  4J002BG032 ,  4J002BK002 ,  4J002CD011 ,  4J002CD021 ,  4J002CD031 ,  4J002CD051 ,  4J002CD111 ,  4J002CH022 ,  4J002CP032 ,  4J002EB116 ,  4J002EQ016 ,  4J002EV246 ,  4J002EV296 ,  4J002FD146 ,  4J002GQ01 ,  4J011PA53 ,  4J011PA65 ,  4J011PA67 ,  4J011PA70 ,  4J011PA75 ,  4J011PA90 ,  4J011PB40 ,  4J011PC02 ,  4J011PC08 ,  5F058AA05 ,  5F058AA10 ,  5F058AB07 ,  5F058AC01 ,  5F058AC07 ,  5F058AD03 ,  5F058AD08 ,  5F058AF04 ,  5F058AG01 ,  5F058AH01 ,  5F110AA16 ,  5F110BB01 ,  5F110CC03 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD05 ,  5F110EE01 ,  5F110EE02 ,  5F110EE03 ,  5F110EE04 ,  5F110EE07 ,  5F110EE42 ,  5F110EE43 ,  5F110FF01 ,  5F110FF27 ,  5F110GG05 ,  5F110QQ01
Patent cited by the Patent:
Cited by applicant (2)
  • 米国特許第5,946,551号明細書
  • 米国特許第6,232,157号明細書
Cited by examiner (5)
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