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J-GLOBAL ID：200903072751677401
素子試験装置及び素子試験方法
Inventor：
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
服部 毅巖
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2007303498
Publication number (International publication number)：2009128188
Application date： Nov. 22, 2007
Publication date： Jun. 11, 2009
Summary：
【課題】半導体装置の高生産または低コスト化を実現させる。【解決手段】素子試験装置1は、支持台11と、支持台11上に載置され、半導体素子20のコレクタ電極に接触する金属箔21cと、半導体素子20のエミッタ電極上に配置させた金属箔21eと、金属箔21eに接触させる、少なくとも一つの接触子と、半導体素子20のゲート電極に導通させる、少なくとも一つの接触子と、を有する。このような素子試験装置1を用いれば、半導体素子20が破損しても、微小な破壊片等が金属箔21cまたは金属箔21eに付着する、これにより、半導体装置の高生産または低コスト化が実現する。【選択図】図1
Claim (excerpt)：
半導体素子の電気的特性を評価する素子試験装置において、
支持台と、
前記支持台上に載置され、前記半導体素子の第1の主電極に接触する第1の金属箔と、
前記半導体素子の第2の主電極上に配置する第2の金属箔と、
前記第2の主電極上に配置した前記第2の金属箔に接触する、少なくとも一つの第1の接触子と、
前記半導体素子の制御用電極に接触する、少なくとも一つの第2の接触子と、
を有することを特徴とする素子試験装置。
IPC (1)：
FI (1)：
F-Term (11)：
2G003AA01
, 2G003AB01
, 2G003AB09
, 2G003AE09
, 2G003AG03
, 2G003AG08
, 2G003AG12
, 2G003AG20
, 2G003AH05
, 2G003AH07
, 2G003AH08
Cited by applicant (1)
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半導体素子の試験装置および試験方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願2005-164016
Applicant：富士電機デバイステクノロジー株式会社
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