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J-GLOBAL ID：200903072768287771

窒化ガリウム系化合物半導体発光素子

Inventor： 山田 孝夫 ,  妹尾 雅之 ,  中村 修二
Applicant, Patent owner： 日亜化学工業株式会社
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993253171
Publication number (International publication number)：1995106633
Application date： Oct. 08, 1993
Publication date： Apr. 21, 1995
Summary：

【要約】【目的】 同一面側に形成された電極側を発光観測面とした窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、パッド電極のマイグレーションによるp層の透光性オーミック電極の変質を防ぎ、オーミック特性を維持するとともに、透光性電極の透光性を維持し外部量子効率を低下させない。【構成】 p層3の電極が、p層3のほぼ全面に形成されたオーミック用の透光性の第一の電極11と、第一の電極11の表面に形成されたボンディング用の第二の電極12(パッド電極)とからなり、前記第二の電極12の材料をAu単体、またはAuを含みAlもしくはCrを含まない合金とすることにより、第一の電極11の透光性を維持し、さらに第一の電極11とp層3とのオーミック特性を維持する。

Claim (excerpt)：

同一面側にn層の電極とp層の電極とが形成されており、それら電極側を発光観測面側とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子において、前記p層の電極が、p層のほぼ全面に形成された透光性の第一の電極と、前記第一の電極の表面に形成されたボンディング用の第二の電極とからなり、前記第二の電極は、Au単体、または、Auを含みAlもしくはCrを含まない合金よりなることを特徴とする窒化ガリウム系化合物半導体発光素子。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (2)

• 窒化ガリウム系化合物半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平3-313977   Applicant：豊田合成株式会社, 株式会社豊田中央研究所
• 特開昭62-101089