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J-GLOBAL ID：200903072825366632
被処理体の窒化方法及び半導体素子
Inventor：
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
浅井 章弘
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2001264832
Publication number (International publication number)：2003077913
Application date： Aug. 31, 2001
Publication date： Mar. 14, 2003
Summary：
【要約】【課題】 特性の良好な窒化膜(絶縁層)を、膜厚の制御性を高く維持した状態で形成することができる被処理体の窒化方法を提供する。【解決手段】 処理容器2内にて所定の温度になされた被処理体Wの表面を窒化する窒化方法において、減圧雰囲気下にてH2 とNH3 とを用いることにより前記窒化処理を行なって窒化膜76、82を形成する。これにより、特性の良好な窒化膜(絶縁層)を、膜厚の制御性を高く維持した状態で形成する。
Claim (excerpt)：
処理容器内にて所定の温度になされた被処理体の表面を窒化する窒化方法において、減圧雰囲気下にてH2 とNH3 とを用いることにより前記窒化処理を行なって窒化膜を形成したことを特徴とする被処理体の窒化方法。
F-Term (7)：
5F058BF55
, 5F058BF64
, 5F058BG01
, 5F058BG02
, 5F058BG03
, 5F058BG04
, 5F058BJ01
Cited by examiner (2)
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半導体装置の製造方法
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平9-062901
Applicant：ソニー株式会社
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耐熱衝撃性にすぐれた表面被覆超硬合金製切削工具
Gazette classification：公開公報
Application number：特願平8-246308
Applicant：三菱マテリアル株式会社
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