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J-GLOBAL ID：200903072939580723

発光ダイオード及びその製造方法

Inventor： 倉橋 孝尚
Applicant, Patent owner： シャープ株式会社
Agent (1)： 梅田 勝
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996042710
Publication number (International publication number)：1997237916
Application date： Feb. 29, 1996
Publication date： Sep. 09, 1997
Summary：

【要約】【課題】 導電型の異なる電流阻止部を上部電極下に設けることなく、上部電極下に電流の流れない領域を形成し、外部出射効率の向上を図ることである。【解決手段】 上部電極の下部に該当する領域に結晶の無い空間を設けることにより、電流阻止部の効果を果たすと共に屈折率の差による発光した光の効果的な反射作用により、外部出射効率の向上を達成する。

Claim (excerpt)：

半導体基板上に単層あるいは複数層からなる発光層が積層され且つn型電極とp型電極とが形成された発光ダイオードにおいて、上部電極の下部に該当する領域に結晶の無い空間を設けたことを特徴とする発光ダイオード。

FI (2)：

H01L 33/00 B ,  H01L 33/00 E

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

• 半導体発光素子
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平7-139656   Applicant：ローム株式会社
• 発光ダイオード及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平6-141641   Applicant：日立電線株式会社
• 特開平4-320070