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J-GLOBAL ID：200903072948380001

プラズマ装置、薄膜形成方法及びエッチング方法

Inventor：
真鍋 由雄

About 真鍋 由雄


Applicant, Patent owner：
松下電器産業株式会社

About 松下電器産業株式会社


Agent (1)： 滝本 智之 (外1名)
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1996126742
Publication number (International publication number)：1997312271
Application date： May. 22, 1996
Publication date： Dec. 02, 1997
Summary：
【要約】【課題】 プラズマ中および基板上でのイオンやラジカル等の活性種を制御し、かつ高周波の姿態や磁場分布に影響されずに均一でかつ高密度、高励起プラズマを形成し、薄膜形成及びエッチングを良好に行う薄膜形成方法及びエッチング方法を提供することを目的とする。【解決手段】 誘電体板5上に同心環状電極6を設けた高周波電力導入部4を、基板2と対向させる構成である。第1高周波8と第2高周波9を混合器7によって混合された高周波が同心環状電極6に印加されており、高周波電力導入部4より放射された高周波によりプラズマを発生させ、真空槽1内に導入した成膜ガスを励起またはイオン化させて、基板2上に薄膜を形成するか、基板2上に照射してエッチングを行う。
Claim (excerpt)：
真空槽と、前記真空槽内に対向して設置された基板設置台及び複数個の電極と、前記真空槽内に印加される第1の高周波及び第2の高周波を発生させる手段と、前記第1の高周波及び第2の高周波とを混合させる混合器とを有し、前記混合器と前記電極とを結合させたことを特徴とするプラズマ装置。
IPC (7)：
H01L 21/285 ,  B01J 19/08 ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 ,  H01L 21/205 ,  H01L 21/3065 ,  H05H 1/46
FI (7)：
H01L 21/285 C ,  B01J 19/08 H ,  C23C 16/50 ,  C23F 4/00 D ,  H01L 21/205 ,  H05H 1/46 C ,  H01L 21/302 B
Patent cited by the Patent：
Cited by examiner (8)
  • 特開平4-359515
  • 特開平4-346829
  • 特開平4-355915
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