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J-GLOBAL ID：200903072994477818
薄膜トランジスタ及び液晶ディスプレイパネル
Inventor：
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Applicant, Patent owner：
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Agent (1)：
山本 秀策
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993011187
Publication number (International publication number)：1994224431
Application date： Jan. 26, 1993
Publication date： Aug. 12, 1994
Summary：
【要約】【目的】 光を吸収し難くかつ移動度が大きく、しかも通常のガラスを使用することができる薄膜トランジスタ及びそれを用いた液晶ディスプレイパネルを提供する。【構成】 薄膜トランジスタの半導体薄膜5にμc-SiCを用いている。これにより、半導体薄膜5の光学的透明度が向上して光の吸収係数が全波長域に亘ってa-Siより小さくなるため、光を吸収し難くなり、オフ電流を小さくおさえられる。特に、カーボン含有量を増加させて光学バンドギャップを大きくすることにより、その作用を向上させることができる。また、μc-SiCからなる半導体薄膜5を電子サイクロトロン共鳴化学蒸気成膜法により作成することにより、a-Siと比較して移動度を大きく向上できる。
Claim (excerpt)：
ゲート絶縁膜を挟んで片方にゲート電極が設けられ、もう片方に半導体薄膜、ソース電極及びドレイン電極が設けられており、該半導体薄膜が微結晶シリコンカーバイドからなる薄膜トランジスタ。
IPC (2)：
H01L 29/784
, G02F 1/136 500
H01L 29/78 311 B
, H01L 29/78 311 H
