半導体レーザ装置

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：鈴江武彦
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1993052756
Publication number (International publication number)：1994268320
Application date： Mar. 12, 1993
Publication date： Sep. 22, 1994
Summary：

【要約】【目的】発振波長を高速、且つ大きく変化させることができる半導体レーザ装置を提供すること。【構成】歪量子井戸構造活性層25と、この歪量子井戸構造活性層25で発生したレーザ光の導波路に設けられたレーザ共振器としての回折格子29と、歪量子井戸構造活性層25に注入されるキャリアのエネルギーを増幅させるためのアンドープInAlAs障壁層28とからなるストライプ状の光導波構造部2と、レーザ光の導波方向に形成された三つ電流注入領域31,32,33と、光導波構造部2を挾持するn型InPクラッド層3およびp型InPクラッド層1とを備えている。

Claim (excerpt)：

発光層としての活性層、この活性層で発生したレーザ光の導波路に設けられたレーザ共振器としての回折格子および前記活性層に注入されるキャリアのエネルギーを増幅させるための障壁層とからなるストライプ状の光導波構造部と、この光導波構造部を挾持する第1のクラッド層および第2のクラッド層と、前記レーザ光の導波方向に設けられた複数の電流注入領域とを具備してなることを特徴とする半導体レーザ装置。

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開昭61-007674
特開昭63-278292
特開平2-228088

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