半導体装置の作製方法

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Applicant, Patent owner：
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2000209113
Publication number (International publication number)：2001057435
Application date： Mar. 11, 1994
Publication date： Feb. 27, 2001
Summary：

【要約】【課題】レーザーもしくはそれと同等な強光を用いて珪素膜の結晶化をおこなう方法において、結晶性の良好な珪素膜を得る方法を提供する。【解決手段】基板上に窒化アルミニウムのごとき熱伝導性の良好な材料によって形成された被膜を選択的に設け、さらに、珪素膜を形成する。この状態でレーザー光もしくはそれと同等な強光を照射すると、珪素膜のうち、前記窒化アルミニウム膜の近傍のものは、窒化アルミニウムに熱を吸収されて、ただちに凝固するが、その他の部分は凝固する速度が遅い。その結果、窒化アルミニウムの部分から結晶化が進行する。光を照射する際に珪素膜に直接当てることでこのような効果を得た。

Claim (excerpt)：

絶縁表面上に窒化アルミニウム、窒化ホウ素もしくはダイヤモンドからなる被膜を選択的に形成し、前記被膜上に非晶質もしくは結晶性の珪素膜を形成し、パルス状のレーザー光もしくは前記レーザー光と同等な強光を前記珪素膜に直接照射し、前記被膜を形成した領域から前記珪素膜を結晶化させ、前記結晶化した珪素膜を用いて、薄膜半導体デバイスを形成することを特徴とする半導体装置の作製方法。

IPC (3)：

H01L 29/786 , H01L 21/336 , H01L 21/20

FI (3)：

H01L 29/78 627 G , H01L 21/20 , H01L 29/78 626 C

Patent cited by the Patent：

Cited by examiner (9)

特開平1-276616
特開平2-297923
特開平2-140915

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