固体撮像素子の2次元画像生成方法及び装置

Inventor： , , ,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：中井宏行
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2004136604
Publication number (International publication number)：2005312805
Application date： Apr. 30, 2004
Publication date： Nov. 10, 2005
Summary：

【課題】被験者を撮影した後、暗電流を補正するために、更に露光しない状態にしてもう一度撮影を行う必要がなく、更に、固体撮像素子における画素毎の特性のばらつきに対応し、撮影時に電荷蓄積時間を考慮する必要がない暗電流の補正を達成する。【解決手段】露光を受けて光電変換して電荷を蓄積する画素生成部と、露光を受けないで暗電流成分を蓄積する暗電流測定部とを備えた固体撮像素子を用いて、所定の露光時間における画素生成部の特定の画素又は画素列の暗電流測定部に対する暗電流成分の出力比を予め記憶しておき、撮像時において、画素生成部より取り出された蓄積電荷信号に対して出力比に基づいて撮影と同時に所定の演算処理を行って暗電流成分を除去した画像を取得する。【選択図】図1

Claim (excerpt)：

露光を受けて光電変換して電荷を蓄積する画素生成部と、露光を受けないで暗電流成分を蓄積する暗電流測定部とを備えた固体撮像素子を用いて、所定の露光時間における上記画素生成部の特定の画素又は画素列の上記暗電流測定部に対する暗電流成分の出力比を予め記憶しておき、撮像時において、上記画素生成部より取り出された蓄積電荷信号に対して上記出力比に基づいて撮影と同時に所定の演算処理を行って暗電流成分を除去した画像を取得することを特徴とする固体撮像素子の2次元画像生成方法。

IPC (4)：

A61B6/14 , H01L27/14 , H04N5/32 , H04N5/335

FI (4)：

A61B6/14 300 , H04N5/32 , H04N5/335 R , H01L27/14 K

F-Term (19)：

4C093CA01 , 4C093DA05 , 4C093EB13 , 4C093EB17 , 4C093FC17 , 4M118AA05 , 4M118BA13 , 4M118BA14 , 4M118CA02 , 4M118CA09 , 4M118CA11 , 4M118FA06 , 4M118FA08 , 4M118GA10 , 4M118GB09 , 5C024AX11 , 5C024CX32 , 5C024EX50 , 5C024GZ36

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

暗電流成分抽出方法、及び、暗電流成分抽出装置、並びに、それらを用いた撮影装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-362778 Applicant：松下電器産業株式会社

Cited by examiner (4)

固体撮像素子の暗時出力補正装置
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平4-331355 Applicant：オリンパス光学工業株式会社
CMOSイメージセンサの暗電流補正方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願平10-226834 Applicant：ヒューレット・パッカード・カンパニー
特開平3-010473

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