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J-GLOBAL ID：200903073135477071

シリコンゲルマニウムナノワイヤーとその製造方法

Inventor： 野田 哲二 ,  胡 全利 ,  荒木 弘 ,  鈴木 裕 ,  楊 文
Applicant, Patent owner： 独立行政法人物質・材料研究機構
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2002228151
Publication number (International publication number)：2004067433
Application date： Aug. 06, 2002
Publication date： Mar. 04, 2004
Summary：

【課題】半導体等の情報通信用デバイス材料等として有用で、多様な組成および形態が簡便に実現できる新しいシリコンゲルマニウムナノワイヤーとその製造方法を提供する。【解決手段】原料としての粒径が50μm以下のシリコン粉末およびゲルマニウム粉末をロッド状に成形した後、不活性ガス気流中で溶融させることにより、その成形体より直径がナノメートルオーダーのナノワイヤーを成長させて、組成が、一般式SixGe1-x(式中、0<x<1)で表され、直径が数十〜数百nmで、長さが数100μmのナノワイヤーであることを特徴とするシリコンゲルマニウムナノワイヤーとする。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

組成が、一般式SixGe1-x(式中、0<x<1)で表されるナノワイヤーであることを特徴とするシリコンゲルマニウムナノワイヤー。

IPC (1)：

C01B33/06

FI (1)：

C01B33/06

F-Term (11)：

4G072AA20 ,  4G072BB04 ,  4G072BB20 ,  4G072GG01 ,  4G072GG03 ,  4G072HH01 ,  4G072JJ09 ,  4G072MM01 ,  4G072NN05 ,  4G072RR07 ,  4G072UU01

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 同位体シリコンナノワイヤーとその作製方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願2001-333257   Applicant：独立行政法人物質・材料研究機構, 科学技術振興事業団

Article cited by the Patent：

Cited by applicant (2)

• General Synthesis of Compound Semiconductor Nanowires
• A Laser Ablation Method for the Synthesis of Crystalline Semiconductor Nanowires

Cited by examiner (1)

• General Synthesis of Compound Semiconductor Nanowires