基板上での金属炭化物由来ナノロッドの合成/成長方法、それによって得られる基板およびその用途

Inventor： ,
Applicant, Patent owner：
Agent (4)：志賀正武 , 渡邊隆 , 村山靖彦 , 実広信哉
Gazette classification：公表公報
Application number (International application number)：2004559844
Publication number (International publication number)：2006508888
Application date： Dec. 04, 2003
Publication date： Mar. 16, 2006
Summary：

本発明は、基板上で金属M1の炭化物からナノロッドを合成する方法に関する。該発明の方法は、(a)基板上での、金属M1の酸化物のナノ結晶および金属M1とは異なる少なくとも1種の金属M2の酸化物のナノ結晶の層(M1金属酸化物ナノ結晶は、この層に分散している)を蒸着させるステップ、(b)金属M1およびM2の酸化物ナノ結晶を対応する金属に還元するステップ、および(c)金属M1のナノ結晶を選択的に成長させるステップよりなる。本発明は、また、基板上で前記材料のナノ結晶から金属M1の炭化物のナノロッドを成長させる方法、かくして得られた基板、およびそれらの用途、例えば化学的または生物学的機能性を含むミクロシステム、特にバイオセンサー、例えばフラットテレビまたはコンピュータスクリーンなどのための電子放射源の製造における用途にも関する。

Claim (excerpt)：

基板上で1種の金属M1の炭化物のナノロッドを合成する方法であって、以下のステップ、 a)基板上に、金属M1の酸化物のナノ結晶および金属M1とは異なる少なくとも1種の金属M2の酸化物のナノ結晶を含む層(M1金属酸化物ナノ結晶は、この層に分散している)の蒸着、 b)M1およびM2金属酸化物ナノ結晶の対応する金属ナノ結晶への還元、および c)M1金属ナノ結晶の選択的成長を含む方法。

IPC (4)：

C01B 31/30 , B82B 3/00 , C01B 31/34 , C23C 14/35

FI (4)：

C01B31/30 , B82B3/00 , C01B31/34 , C23C14/35 F

F-Term (22)：

4G146MA06 , 4G146MA08 , 4G146MB02 , 4G146MB18B , 4G146MB19B , 4G146MB27 , 4G146MB30 , 4G146NA02 , 4G146NA12 , 4G146NB05 , 4G146NB10 , 4G146NB12 , 4G146PA09 , 4G146QA02 , 4G146QA04 , 4G146QA05 , 4K029BA55 , 4K029BD00 , 4K029CA06 , 4K029DC03 , 4K029DC15 , 4K029DC48

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

仏国特許出願第98/00777号明細書

Cited by examiner (2)

特表平4-507394
製品の製造方法
Gazette classification：公開公報 Application number：特願2001-045300 Applicant：ルーセントテクノロジーズインコーポレイテッド

Article cited by the Patent：

Cited by examiner (3)

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