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J-GLOBAL ID：200903073175386524
シリコンエピタキシャルウェーハの製造方法及びシリコンエピタキシャルウェーハ
Inventor：
,
,
Applicant, Patent owner：
Agent (1)：
菅原 正倫
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：1999319970
Publication number (International publication number)：2001139399
Application date： Nov. 10, 1999
Publication date： May. 22, 2001
Summary：
【要約】【課題】 埋込イオン注入層を介して複数のエピタキシャル層が積層形成されたエピタキシャルウェーハを極めて能率的に製造でき、形成されるイオン注入層の横方向拡散も少ないシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法を提供する。【解決手段】 イオン注入後の結晶回復のための熱処理を水素雰囲気中にて行うことで、注入前酸化処理を行わなくともイオン注入層71,72への面荒れ発生が極めて効果的に抑制される。その結果、埋込イオン注入層71’,72’を有するエピタキシャルウェーハの製造方法において、注入前酸化処理の省略、ひいてはフォトレジスト膜のみをマスク64として用いたイオン注入が実現される。注入前酸化を含めたエピタキシャル層3への積極的な酸化膜形成処理が排除される結果、埋込イオン注入層71’,72’に加わる熱履歴の回数が減って横方向拡散が効果的に抑制される。また、酸化膜の形成/除去が不要となる結果、エピタキシャルウェーハ製造の工程数を劇的に減ずることができる。
Claim (excerpt)：
第一エピタキシャル層中に不純物元素をイオン注入してイオン注入層を形成し、その上に第二エピタキシャル層を気相成長して積み重ねることにより、前記イオン注入層を前記第一エピタキシャル層と前記第二エピタキシャル層との間に埋め込んで埋込層となすシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法において、前記第一エピタキシャル層の表面に、フォトレジスト膜からなるイオン注入用マスクを直接形成するマスク形成工程と、前記イオン注入用マスクが形成された前記第一エピタキシャル層に対して前記イオン注入を行うイオン注入工程と、該イオン注入工程の終了後、前記第二エピタキシャル層を気相成長させるのに先立って行う水素熱処理工程と、該水素熱処理工程が終了した後に、前記第二エピタキシャル層を気相成長させる気相成長工程とを含むことを特徴とするシリコンエピタキシャルウェーハの製造方法。
IPC (4)：
C30B 29/06 504
, H01L 21/266
, H01L 21/265 602
, H01L 21/336
C30B 29/06 504 K
, H01L 21/265 602 A
, H01L 21/265 M
, H01L 29/78 658 E
4G077AA03
, 4G077BA04
, 4G077DB30
, 4G077EE08
, 4G077EE10
, 4G077FB07
, 4G077HA06
Cited by examiner (8)
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