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J-GLOBAL ID：200903073185772350

半導体薄膜

Inventor： 饗場 利明
Applicant, Patent owner： キヤノン株式会社
Agent (3)： 山下 穣平 ,  志村 博 ,  永井 道雄
Gazette classification：公開公報
Application number (International application number)：2005258275
Publication number (International publication number)：2007073704
Application date： Sep. 06, 2005
Publication date： Mar. 22, 2007
Summary：

【課題】 多元系の酸化物薄膜を作製する場合に、面内方向に組成分布が生じ難い酸化物半導体薄膜、及びその製造方法を提供する。【解決手段】 組成又は構成元素が互いに異なる複数の酸化物層による積層構造からなる半導体薄膜において、前記酸化物層の一部又は全部がアモルファスである。前記酸化物層の厚さが0.05〜10nmである。前記酸化物層の一部又は全部が、In、Ga、Zn、Sn、Sb、Ge、又はAsのいずれかの元素を含有する。前記組成の異なる複数種以上の酸化物層の積層構造は、1積層単位が繰り返し成膜された複数の積層単位としてもよい。【選択図】 図1

Claim (excerpt)：

組成又は構成元素が互いに異なる複数の酸化物層による積層構造からなる半導体薄膜において、前記酸化物の一部又は全部がアモルファスであることを特徴とする半導体薄膜。

IPC (3)：

H01L 29/786 ,  H01L 21/203 ,  H01L 21/336

FI (4)：

H01L29/78 618B ,  H01L21/203 S ,  H01L29/78 618E ,  H01L29/78 618A

F-Term (31)：

5F103AA08 ,  5F103DD30 ,  5F103GG03 ,  5F103HH04 ,  5F103LL13 ,  5F103NN10 ,  5F103RR04 ,  5F103RR05 ,  5F103RR06 ,  5F110AA01 ,  5F110AA18 ,  5F110BB01 ,  5F110CC01 ,  5F110DD01 ,  5F110DD02 ,  5F110DD03 ,  5F110DD21 ,  5F110EE02 ,  5F110EE42 ,  5F110FF01 ,  5F110FF05 ,  5F110FF27 ,  5F110GG01 ,  5F110GG14 ,  5F110GG15 ,  5F110GG19 ,  5F110GG25 ,  5F110GG43 ,  5F110HK02 ,  5F110HK32 ,  5F110QQ14

Patent cited by the Patent：

Cited by applicant (1)

• 透明導電性酸化物薄膜を有する物品及びその製造方法
  Gazette classification：公開公報   Application number：特願平10-208948   Applicant：ホーヤ株式会社