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J-GLOBAL ID:200903073188884787

電界放出型冷陰極及びその製造方法並びに平面画像表示装置

Inventor:
Applicant, Patent owner:
Agent (1): 稲垣 清
Gazette classification:公開公報
Application number (International application number):2000362395
Publication number (International publication number):2002170480
Application date: Nov. 29, 2000
Publication date: Jun. 14, 2002
Summary:
【要約】【課題】 基板とCNT層との付着力が強く、CNT層を用いながら均一で安定で均一性の高い放出電流を発生させ、良好なエミッション特性を得ることができる電界放出型冷陰極を提供する。【解決手段】 電界放出型冷陰極は、ガラス基板6上に形成され複数のCNTを含むエミッタ1bを備え、エミッタ1bに所定の電圧を印加してエミッタ表面から電子を放出させる。エミッタ1bは、順次に積層されたバインダ層3a(及び3b)と該バインダ層によって結合されたCNTを含むCNT層4a(及び4b)とから成る積層構造を有している。
Claim (excerpt):
基板上に形成され複数のカーボンナノチューブ(CNT)を含むエミッタを備え、該エミッタに所定の電圧を印加してエミッタ表面から電子を放出させる電界放出型冷陰極において、前記エミッタが、順次に積層されたバインダ層と該バインダ層によって結合されたCNTを含むCNT層とから成る積層構造を有することを特徴とする電界放出型冷陰極。
IPC (4):
H01J 1/304 ,  H01J 9/02 ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12
FI (4):
H01J 9/02 B ,  H01J 29/04 ,  H01J 31/12 C ,  H01J 1/30 F
F-Term (8):
5C031DD17 ,  5C036EE02 ,  5C036EE19 ,  5C036EF01 ,  5C036EF06 ,  5C036EG02 ,  5C036EG12 ,  5C036EH26
Patent cited by the Patent:
Cited by examiner (1)
  • 電子放出素子の製造方法
    Gazette classification:公開公報   Application number:特願平11-081092   Applicant:松下電器産業株式会社, 中山喜萬

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